Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB vs SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB

Pontuação geral
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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    30 left arrow 41
    Por volta de 27% menor latência
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    14200 left arrow 12800
    Por volta de 1.11% maior largura de banda
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    13.7 left arrow 11.2
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    9.3 left arrow 8.7
    Valor médio nos testes

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latência em PassMark, ns
    30 left arrow 41
  • Velocidade de leitura, GB/s
    11.2 left arrow 13.7
  • Velocidade de escrita, GB/s
    8.7 left arrow 9.3
  • Largura de banda de memória, mbps
    14200 left arrow 12800
Other
  • Descrição
    PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Tempos / Velocidade do relógio
    no data left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2458 left arrow 2290
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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