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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Maxsun MSD48G30M3 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Pontuação geral
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
33
Por volta de 15% menor latência
Razões a considerar
Maxsun MSD48G30M3 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.4
10.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.6
7.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
8500
Por volta de 2.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
33
Velocidade de leitura, GB/s
10.9
14.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.1
11.6
Largura de banda de memória, mbps
8500
21300
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1668
3105
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
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Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
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