RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
28
Por volta de 4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.7
7.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.4
4.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
27
28
Velocidade de leitura, GB/s
10.7
7.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.4
4.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
10600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1444
1175
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-H9 2GB Comparações de RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB Comparações de RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link