Comparação RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB

Pontuação geral

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Razões a considerar
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

21 30

Por volta de -43% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

20.1 8.8

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

19.4 5.6

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

17000 10600

Por volta de 1.6 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

1344 4089

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns