RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
31
Por volta de 23% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
9.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
31
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
9.7
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2464
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link