RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
36
Por volta de 33% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
13.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
8.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
36
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
13.6
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
8.7
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2231
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link