RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
24
Por volta de -14% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
21
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
13.7
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3120
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link