RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs AMD R948G2806U2S 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
AMD R948G2806U2S 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
25
Por volta de 4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
14.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
10.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
AMD R948G2806U2S 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
25
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
10.2
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2802
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
AMD R948G2806U2S 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R948G2806U2S 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link