RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
26
Por volta de 8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
14.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
9.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
26
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
9.7
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2455
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link