RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
30
Por volta de 20% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
12.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
30
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
12.2
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3272
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link