RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
61
Por volta de 61% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
8.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
16
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
61
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
8.9
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2089
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
INTENSO M418039 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link