RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
24
Por volta de -20% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.2
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.8
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
20
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
19.2
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
14.8
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3326
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link