RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
39
Por volta de 38% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
13.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
11.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
39
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
13.7
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
11.9
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3018
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link