RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
27
Por volta de 11% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.4
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.0
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
27
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
16.0
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3646
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link