RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
40
Por volta de 40% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
11.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
40
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
13.4
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
11.9
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3014
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB Comparações de RAM
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link