RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
36
Por volta de 33% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
11.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
36
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
11.0
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2937
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link