RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.4
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.8
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
24
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
20.4
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
16.8
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
4110
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link