RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
28
Por volta de 14% menor latência
Razões a considerar
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.3
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.3
12.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
28
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
18.3
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
15.3
Largura de banda de memória, mbps
19200
21300
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3708
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link