RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
25
Por volta de 4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
11.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
25
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
13.4
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
11.5
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3197
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link