RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
26
Por volta de 8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
12.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.3
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
26
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
12.3
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
15.3
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3153
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link