RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
24
Por volta de -14% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.4
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.6
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
21
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
14.6
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2981
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB Comparações de RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link