RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
32
Por volta de 25% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
11.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.1
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
32
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
11.6
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
14.1
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2957
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link