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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
36
Por volta de 33% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
15.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
12.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
36
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
12.4
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2871
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
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