RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
24
Por volta de -20% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.1
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.3
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
20
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
14.3
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3088
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link