RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
32
Por volta de 25% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.6
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
32
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
13.8
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3405
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link