RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
29
Por volta de 17% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.4
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.1
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
29
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
18.4
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
15.1
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3723
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link