RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
12.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
16
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
24
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
12.3
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3063
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link