RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
25
Por volta de 4% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.7
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.4
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
25
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
18.7
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
15.4
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3632
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link