RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
32
Por volta de 25% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
12.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.6
16
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
32
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
12.2
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2854
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link