RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
33
Por volta de 27% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
14.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
9.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
33
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
9.9
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2466
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link