RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
34
Por volta de 29% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
11.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
34
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
11.4
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2831
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link