RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
24
Por volta de -9% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.4
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.4
12.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
22
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
18.4
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
14.4
Largura de banda de memória, mbps
19200
21300
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3255
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link