RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
28
Por volta de 14% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
10.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
16
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
28
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
10.4
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2962
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
UMAX Technology 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link