RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
43
Por volta de 44% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
12.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
16
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
43
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
12.3
Largura de banda de memória, mbps
19200
25600
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2885
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link