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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
30
Por volta de 20% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.9
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.3
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
30
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
17.9
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
13.3
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3226
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
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