RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
70
Por volta de 66% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
15.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
8.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
70
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
8.3
Largura de banda de memória, mbps
19200
21300
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
1923
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G73BH0-YH9 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link