RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
64
Por volta de 63% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
10.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.3
16
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
64
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
10.0
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2181
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link