RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
48
Por volta de 50% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
12.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.6
12.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
48
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
12.3
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
14.6
Largura de banda de memória, mbps
19200
21300
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3061
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
SK Hynix HMT325U6EFR8C-PB 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link