RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
32
Por volta de 25% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
24.1
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.6
12.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
32
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
24.1
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
16.6
Largura de banda de memória, mbps
19200
21300
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
4001
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link