RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
55
Por volta de 56% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
11.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
21
16
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
55
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
21.0
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
11.7
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2457
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link