RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
40
Por volta de 40% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
11.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
40
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
13.4
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
11.3
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2362
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link