RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
24
Por volta de -20% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.4
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.0
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
20
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
15.0
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3395
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link