RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
27
Por volta de 11% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
14.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
7.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
27
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
7.4
Largura de banda de memória, mbps
19200
21300
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2356
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link