RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
76
Por volta de 68% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
8.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
76
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
8.9
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
1887
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
AMD R538G1601U2S-UGO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link