RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
35
Por volta de 31% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
11
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
35
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
11.0
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
8.4
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2246
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 6400DT Series 2GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905402-158.A00LF 2GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link