RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
68
Por volta de 65% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
16
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
68
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
9.0
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2084
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link