RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
38
Por volta de 37% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
7.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
38
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
9.0
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
7.1
Largura de banda de memória, mbps
19200
21300
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
1546
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link