RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
33
Por volta de 27% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
14.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
11.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
33
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
14.6
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
11.9
Largura de banda de memória, mbps
19200
21300
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2664
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 93T2950BZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT41GR7AFR8C-RD 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link