RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
29
Por volta de 17% menor latência
Razões a considerar
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.1
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
29
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
13.5
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3432
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GSL 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link