RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
37
Por volta de 35% menor latência
Razões a considerar
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
21.6
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.0
12.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
37
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
21.6
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
15.0
Largura de banda de memória, mbps
19200
25600
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3581
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link